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8.2.1a Discos externos de estado sólido
§1 Sinopsis
Fig. 1 |
Los discos externos de estado sólido ("Solid state disks"), reciben distintos nombres: pen drives, por su aspecto de pluma o bolígrafo; flash drives, por el tipo de memoria que utilizan; flash card disks, si tienen aspecto de tarjeta, flash disks, etc. En lo sucesivo, y dado que nos referimos a los que utilizan conexión USB, los denominaremos UMSD ("USB Mass Storage Disks").
Básicamente consisten en una memoria flash 
montada en un soporte tipo lápiz, llavero, o similar (fig. 1), aunque también existen unidades con aspecto de una tarjeta
de crédito (fig. 2). Técnicamente no se diferencian en nada de los
distintos tipos de tarjeta de memoria que estamos acostumbrados a ver en
cámaras digitales, reproductores de audio y dispositivos análogos (Memory Sticks, Digital
Cards, etc).
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Fig. 2 |
2.1 Características técnicas
La capacidad de las unidades UMSD oscila generalmente entre 64 MB y 4 GB. Su consumo es del orden de 30 mA. a una tensión de 4.5 ~ 5.5 V., de forma que pueden ser alimentadas cómodamente desde la conexión USB, la cual puede proporcionar hasta 500 mA sin necesidad de fuente adicional.
Una vez instaladas se comportan exactamente igual que una unidad de disco interna. No obstante, debemos advertir que son mucho más lentas que aquellos. La especificación de los fabricantes suele mencionar velocidades de transferencia de 600/900 Kbit/segundo. Esta lentitud se debe principalmente a las características eléctricas de las memorias flash, cuyo proceso de borrado es comparativamente muy lento; más que los procesos de L/E en los discos duros actuales, e incomparablemente más que en las memorias RAM dinámicas.
Nota: las tarjetas que se suelen utilizar en dispositivos electrónicos, como cámaras de foto y similares. Por ejemplo, las SmartMedia de Toshiba; Memmory Stick de Sony, etc., suelen ser más rápidas que las utilizadas en los dispositivos UMSD normales, aunque mucho más caras. Algunos modelos montan incluso un microprocesador dedicado.
La memorias flash EPRON puede ser clasificada dentro del
grupo de las EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), que
mediante determinados artificios, puede comportarse como una memoria RAM no
volátil (que no pierde la información cuando cesa la alimentación). Este
tipo de memoria puede ser grabada, tras lo cual mantiene los datos
aún cuando sea desconectada [1]. El proceso de borrado
necesita de cierta energía adicional, tras lo cual pueden grabarse nuevos
datos. La diferencia entre la flash EPRON y la EEPRON es que en esta
última, el proceso de borrado afecta a la totalidad de su contenido, mientras
que en la flash puede borrarse un byte cada vez, aunque lo normal es que el
proceso se realice por bloques.
Están construidas por una matriz de elementos, cada uno capaz de almacenar un bit. Cada elemento está constituido básicamente por un par de transistores. El primero, denominado puerta flotante ("flating gate") es el que guarda realmente la información según su estado de conducción. El segundo, denominado puerta de control ("control gate") es el que hace cambiar de estado a la puerta flotante. Ambos transistores están separados por una delgada lámina de óxido. Los cambios en la puerta de control afectan a la conducción de la puerta flotante mediante un proceso denominado efecto túnel ("Fowler-Nordheim tunneling").
Inicio.[1] Originariamente las memorias EEPRON se utilizaron en dispositivos programables para almacenar el programa y los datos, los cuales eran grabados instalando el chip de memoria en un dispositivo especial de grabación, desde el que se transfería la información, que quedaba almacenada en la memoria de forma permanente mientras que no se la sometiera a un proceso especial de borrado.. De ahí lo de "Programmable" de su nombre. Sin embargo, actualmente su utilización mayoritaria es en discos de estado sólido, para almacenar toda clase de datos en cámaras digitales, videojuegos, reproductores portátiles de audio, y dispositivos análogos.